例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

解釋什么是暗場掩模板？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

例舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？

刻蝕工藝有哪兩種類型？簡單描述各類刻蝕工藝。

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

描述RF濺射系統(tǒng)。