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填空題 注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）?？蓪懗桑?img src="https://newimg.ppkao.com/2019-07/wangjing/2019070410290232389.jpg" />

1.填空題CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。

2.填空題用C-V測試可以測定二氧化硅薄膜的：（）

3.填空題氧化層厚度的測量方法主要有：（）。

4.填空題氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。

5.填空題 Si襯底上熱氧化的機(jī)理由（）模型確定。氧化反應(yīng)的快慢與三個(gè)因素有關(guān)，即：（）。氧化層厚度的理論計(jì)算公式為：式中A、B為與擴(kuò)散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時(shí)間修正系數(shù)。