簡(jiǎn)要說(shuō)明綜采設(shè)備磨損后的對(duì)策分析。

在一個(gè)半導(dǎo)體薄片相對(duì)的兩側(cè)通以控制電流，在薄片垂直方向加以磁場(chǎng)，則在半導(dǎo)體另外兩側(cè)會(huì)產(chǎn)生一電動(dòng)勢(shì)，其大小與控制電流和磁場(chǎng)的乘積成正比。利用這種原理制成的檢測(cè)裝置叫做（）。

拆除電纜時(shí)，先拆低壓側(cè)后拆高壓側(cè)，先拆動(dòng)力線后拆控制線。（）

“停止”的英文表示是（）。

請(qǐng)繪圖說(shuō)明PLC控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一般步驟

一切測(cè)量都應(yīng)力求實(shí)現(xiàn)既精密又準(zhǔn)確，對(duì)直流及慢變干擾信號(hào)采?。ǎ詼p少由此種干擾所造成的附加誤差。

GTR在應(yīng)用中應(yīng)特別注意二次擊穿問(wèn)題，在電感性負(fù)載和大電流開(kāi)關(guān)電路中，二次擊穿是晶體管毀壞的主要原因。二次擊穿將造成GTR的永久性損壞，不具有可逆性。發(fā)生二次擊穿必須同時(shí)具備三個(gè)條件，即高電壓、大電流和（）。

系統(tǒng)分析法是把礦井作為一個(gè)完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，將使用（或局部使用）綜采設(shè)備的生產(chǎn)布局作為一個(gè)技術(shù)方案，與部分使用普采（或高檔普采、炮采）設(shè)備的生產(chǎn)布局作為另一方案進(jìn)行比較。（）

A/D是通過(guò)取樣、（）、量化和編碼四個(gè)步驟完成的。

實(shí)踐證明，當(dāng)控制電纜與干擾源電纜間的距離且應(yīng)在兩電纜間設(shè)置屏蔽導(dǎo)體，再將屏蔽導(dǎo)體接地，達(dá)到導(dǎo)體直徑（）倍以上時(shí)，干擾程度就不大明顯。