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A.DIP
B.QFP
C.BGA
D.CSP
A.光刻膠涂覆
B.曝光
C.顯影
D.腐蝕
A.布線分全局布線與詳細(xì)布線兩個(gè)階段，決定布線途徑
B.當(dāng)某個(gè)布線變?yōu)椴豢赡軙r(shí)，確定并拆除成為其障礙物的布線群，進(jìn)行重新布線，使其不再成為其它布線的障礙
C.基于階層的布局設(shè)計(jì)包括自頂向下的布圖規(guī)劃和自下向上的模塊布局
D.自頂向下的布圖規(guī)劃包括對(duì)階層模塊進(jìn)行面積預(yù)估、確定aspect比、放置模塊及模塊間時(shí)間制約的分割
A.是一種高速計(jì)算近似值的算法
B.是在實(shí)際可行的時(shí)間內(nèi)計(jì)算布局布線最優(yōu)解的算法
C.是求局部最優(yōu)解的算法
D.為了讓近似值接近最優(yōu)解，有必要改變執(zhí)行條件（初解、控制參數(shù)）多次進(jìn)行重新計(jì)算
最新試題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來(lái)到大眾視線
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整，而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
下列對(duì)焊接可靠性無(wú)影響的是（）。
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。