A.TTL集成施密特觸發(fā)器
B.用分立元件構(gòu)成的施密特觸發(fā)器
C.CMOS集成施密特觸發(fā)器
D.555定時(shí)器構(gòu)成的施密特觸發(fā)器
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A.具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。
B.觸發(fā)方式為電平觸發(fā)，適用與變化緩慢的信號(hào)。
C.具有一個(gè)穩(wěn)態(tài)和一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。
D.對(duì)正向和負(fù)向增長(zhǎng)的輸入信號(hào)，電路有不同的閥值電平。
A.功能相同，外形和管腳排列一致。
B.都使用單電源供電。
C.輸出為2/3VCC電平。
D.電源電壓變化對(duì)振蕩頻率和定時(shí)精度影響下
A.高電平
B.低電平
C.高低電平都有可能
D.無(wú)法確定
A.555在電路結(jié)構(gòu)上是由模擬電路和數(shù)字電路組合而成的。
B.555時(shí)基電路采用雙電源供電。
C.555可獨(dú)立構(gòu)成一個(gè)定時(shí)電路，且定時(shí)精度高。
D.555的最大輸出電流達(dá)200mA，帶負(fù)載能力強(qiáng)。
A.產(chǎn)生矩形波
B.產(chǎn)生延遲作用
C.實(shí)現(xiàn)定時(shí)功能
D.把緩慢信號(hào)變成矩形波
最新試題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)（）。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體？是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體？簡(jiǎn)述它們的作用。
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號(hào)JK就為（）。
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱為（）觸發(fā)器。