單項(xiàng)選擇題TTL與非門(mén)高電平輸出電流IOH的參數(shù)規(guī)范值是（）·
A.200uA
B.400uA
C.800uA
D.1000uA
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1.單項(xiàng)選擇題TTL與非門(mén)低電平輸出電流IOL的參數(shù)規(guī)范值是（）。
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D.16mA
2.單項(xiàng)選擇題TTL與非門(mén)高電平輸入電流IIH的參數(shù)規(guī)范值是（）。
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D.16mA
3.單項(xiàng)選擇題TIL與非門(mén)輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
A.20uA
B.40uA
C.1.6mA
D.16mA
4.單項(xiàng)選擇題TTL與非門(mén)閥值電壓UT的典型值是（）。
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B.1.4V
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5.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)TTL門(mén)開(kāi)門(mén)電平Uon之值為（）。
A.0.3V
B.0.7V
C.1.4v
D.2V
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若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
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電可擦除的PROM器件是（）
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題型：?jiǎn)柎痤}
以下哪個(gè)編碼不能是二－十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱(chēng)為（）觸發(fā)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門(mén)輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
題型：?jiǎn)柎痤}
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題