單項選擇題TTL與非門閥值電壓UT的典型值是()。
A.0.4V
B.1.4V
C.2V
D.2.4V
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1.單項選擇題標(biāo)準(zhǔn)TTL門開門電平Uon之值為()。
A.0.3V
B.0.7V
C.1.4v
D.2V
2.單項選擇題標(biāo)準(zhǔn)TTL門關(guān)門電平Uoff之值為()。
A.0.3V
B.0.5V
C.0.8v
D.1.2V
3.單項選擇題三極管開關(guān)電路中,影響開關(guān)速度的主要囚素是()。
A.tD
B.tR
C.tS
D.tF
4.單項選擇題數(shù)字電路中,當(dāng)晶體管的飽和深度變淺時,其工作速度()。
A.變低
B.不變
C.變高
D.加倍
5.單項選擇題當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏時,三極管工作在()狀態(tài)。
A.放大
B.飽和
C.截止
D.倒置
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用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
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