A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
B、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長
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A.調(diào)整晶體生長的熱系統(tǒng),使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運行參數(shù),例如對于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速,調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值
A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化學清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列是晶體的是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()