一塊半導體樣品的體積為a×b×c,如圖所示,沿x方向有電流I,在z軸方向加有均勻磁場B。這時實驗得出的數(shù)據(jù)為a=0.10cm,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA,B=3000高斯,銅片兩側的電位差UAA′=6.55mV。 (1)問這半導體是正電荷導電(p型)還是負電荷導電(n型)? (2)求載流子濃度(即單位體積內(nèi)參加導電的帶電粒子數(shù))。
一銅片厚為d=1.0mm,放在B=1.5T的磁場中,磁場的方向與銅片垂直。已知銅片里每立方厘米有8.4×1022個自由電子,當銅片中有I=200A的電流時, (1)求銅片兩側的電位差Uaa′; (2)銅片寬度b對Uaa′有無影響?為什么?
設電子的質量為m,電荷為e,以角速度ω繞帶正電的質子作圓周運動。當加上外磁場B,B的方向與電子軌道平面垂直時,設電子軌道半徑不變,而角速度變?yōu)?omega;′。證明:電子角速度的變化近似等于。