單項(xiàng)選擇題直接接觸法探傷可以使用()。

A、直探頭
B、斜探頭
C、雙晶探頭
D、以上都可以


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1.單項(xiàng)選擇題下列()晶片發(fā)射縱波的近場區(qū)最長。

A、1MHzφ14mm
B、2.5MHzφ14mm
C、1MHzφ20mm
D、25MHzφ30mm

2.單項(xiàng)選擇題以下()1MHz探頭通常具有最佳的時間或垂直距離的分辨力。

A、無背襯石英探頭
B、帶酚醛樹脂背襯的石英探頭
C、帶酚醛樹脂背襯的鈦酸鋇探頭
D、帶環(huán)氧樹脂背襯的硫酸鋰探頭

3.單項(xiàng)選擇題2.5PB20Z表示()。

A、頻率為2.5MHz
B、圓晶片直徑為20㎜
C、晶片材料為鈦酸鋇陶瓷
D、以上都對

4.單項(xiàng)選擇題A型掃描顯示探傷儀主要由()組成。

A、電源電路、同步電路
B、發(fā)射電路、時基掃描電路
C、接收電路、顯示電路
D、以上都是

5.單項(xiàng)選擇題焊縫探傷中探頭角度的選擇主要依據(jù)()。

A、探測頻率
B、缺陷方向
C、缺陷部位
D、鋼板的厚度

最新試題

對檢測儀的時間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。

題型:單項(xiàng)選擇題

當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時,移動探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。

題型:單項(xiàng)選擇題

渦流檢測線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。

題型:單項(xiàng)選擇題

磁性測厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測量方法。

題型:單項(xiàng)選擇題

采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。

題型:單項(xiàng)選擇題

缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()

題型:單項(xiàng)選擇題

渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()

題型:單項(xiàng)選擇題

渦流檢測線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。

題型:單項(xiàng)選擇題

當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時,如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時波高的()

題型:單項(xiàng)選擇題

渦流檢測線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對于檢測結(jié)果的好壞起著重要的作用。

題型:單項(xiàng)選擇題