A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個(gè)球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能
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A、3200和3200
B、3200和5900
C、5900和5900
D、以上都不對(duì)
A、特性
B、形狀
C、方向
D、以上都不對(duì)
A、橫向和縱向兩種振動(dòng)的合成
B、直線振動(dòng)
C、斜振動(dòng)
D、S振動(dòng)
A、按質(zhì)點(diǎn)振動(dòng)方向分類
B、按波的形狀分類
C、按振動(dòng)所持續(xù)的時(shí)間分類
D、以上都對(duì)
最新試題
各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。
對(duì)于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
對(duì)于長(zhǎng)條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。