你可能感興趣的試題

判斷題
使晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的最小門極電流，稱為該管的維持電流。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
三相橋式全控整流電路一般不用于有源逆變負(fù)載或要求可逆調(diào)速的中、大容量直流電動(dòng)機(jī)負(fù)載。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
在三相橋式全控整流大電感負(fù)載電路工作于整流狀態(tài)時(shí)，其觸發(fā)延遲角α的最大移相范圍為0°—90°。
答案：正確
判斷題
電子設(shè)備內(nèi)部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及制造工藝有關(guān)。
答案：正確
判斷題
電子設(shè)備外部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)本身的結(jié)構(gòu)以及外部環(huán)境因素有關(guān)。
答案：正確
判斷題
容量為600—4000kV²A的裝置一般采用GTO晶閘管，而容量為4000kV²A以上的裝置才采用普通晶閘管。
答案：正確
判斷題
電力晶體管（GTR）最大容量為1200V/400A，陽佳工作頻率約為1—10kHz，適用于500V²A以上的應(yīng)用場(chǎng)合。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
電力半導(dǎo)體器件額定電流的選擇依據(jù)是必須大于器件在電路中實(shí)際承受的平均電壓，并有2—3倍的裕量。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
晶閘管的額定正向平均電流是指：在環(huán)境溫度為+40℃，標(biāo)準(zhǔn)散熱及元件導(dǎo)通條件下，陽極和陰極間可連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。
答案：正確
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電力半導(dǎo)體器件一般工作在較為理想的開關(guān)狀態(tài)，其顯著特點(diǎn)是導(dǎo)通時(shí)壓降很低，關(guān)斷時(shí)泄漏電流很小，消耗能量很少或幾乎不消耗能量，具有高效率和節(jié)能的特點(diǎn)。
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晶閘管是一種大功率的可控半導(dǎo)體器件，普通型晶閘管具有反向阻斷特性，故又稱為逆阻型晶閘管。

你可能感興趣的試題

使晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的最小門極電流，稱為該管的維持電流。

三相橋式全控整流電路一般不用于有源逆變負(fù)載或要求可逆調(diào)速的中、大容量直流電動(dòng)機(jī)負(fù)載。

在三相橋式全控整流大電感負(fù)載電路工作于整流狀態(tài)時(shí)，其觸發(fā)延遲角α的最大移相范圍為0°—90°。

電子設(shè)備內(nèi)部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及制造工藝有關(guān)。

電子設(shè)備外部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)本身的結(jié)構(gòu)以及外部環(huán)境因素有關(guān)。

容量為600—4000kV²A的裝置一般采用GTO晶閘管，而容量為4000kV²A以上的裝置才采用普通晶閘管。

電力晶體管（GTR）最大容量為1200V/400A，陽佳工作頻率約為1—10kHz，適用于500V²A以上的應(yīng)用場(chǎng)合。

電力半導(dǎo)體器件額定電流的選擇依據(jù)是必須大于器件在電路中實(shí)際承受的平均電壓，并有2—3倍的裕量。

晶閘管的額定正向平均電流是指：在環(huán)境溫度為+40℃，標(biāo)準(zhǔn)散熱及元件導(dǎo)通條件下，陽極和陰極間可連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。

電力半導(dǎo)體器件一般工作在較為理想的開關(guān)狀態(tài)，其顯著特點(diǎn)是導(dǎo)通時(shí)壓降很低，關(guān)斷時(shí)泄漏電流很小，消耗能量很少或幾乎不消耗能量，具有高效率和節(jié)能的特點(diǎn)。

晶閘管是一種大功率的可控半導(dǎo)體器件，普通型晶閘管具有反向阻斷特性，故又稱為逆阻型晶閘管。

你可能感興趣的試題

使晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的最小門極電流，稱為該管的維持電流。

三相橋式全控整流電路一般不用于有源逆變負(fù)載或要求可逆調(diào)速的中、大容量直流電動(dòng)機(jī)負(fù)載。

在三相橋式全控整流大電感負(fù)載電路工作于整流狀態(tài)時(shí)，其觸發(fā)延遲角α的最大移相范圍為0°—90°。

電子設(shè)備內(nèi)部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及制造工藝有關(guān)。

電子設(shè)備外部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)本身的結(jié)構(gòu)以及外部環(huán)境因素有關(guān)。

容量為600—4000kV²A的裝置一般采用GTO晶閘管，而容量為4000kV²A以上的裝置才采用普通晶閘管。

電力晶體管（GTR）最大容量為1200V/400A，陽佳工作頻率約為1—10kHz，適用于500V²A以上的應(yīng)用場(chǎng)合。

電力半導(dǎo)體器件額定電流的選擇依據(jù)是必須大于器件在電路中實(shí)際承受的平均電壓，并有2—3倍的裕量。

晶閘管的額定正向平均電流是指：在環(huán)境溫度為+40℃，標(biāo)準(zhǔn)散熱及元件導(dǎo)通條件下，陽極和陰極間可連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。

電力半導(dǎo)體器件一般工作在較為理想的開關(guān)狀態(tài)，其顯著特點(diǎn)是導(dǎo)通時(shí)壓降很低，關(guān)斷時(shí)泄漏電流很小，消耗能量很少或幾乎不消耗能量，具有高效率和節(jié)能的特點(diǎn)。

晶閘管是一種大功率的可控半導(dǎo)體器件，普通型晶閘管具有反向阻斷特性，故又稱為逆阻型晶閘管。

使晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的最小門極電流，稱為該管的維持電流。

三相橋式全控整流電路一般不用于有源逆變負(fù)載或要求可逆調(diào)速的中、大容量直流電動(dòng)機(jī)負(fù)載。

在三相橋式全控整流大電感負(fù)載電路工作于整流狀態(tài)時(shí)，其觸發(fā)延遲角α的最大移相范圍為0°—90°。

電子設(shè)備外部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)本身的結(jié)構(gòu)以及外部環(huán)境因素有關(guān)。

容量為600—4000kV²A的裝置一般采用GTO晶閘管，而容量為4000kV²A以上的裝置才采用普通晶閘管。

電力晶體管（GTR）最大容量為1200V/400A，陽佳工作頻率約為1—10kHz，適用于500V²A以上的應(yīng)用場(chǎng)合。

電力半導(dǎo)體器件額定電流的選擇依據(jù)是必須大于器件在電路中實(shí)際承受的平均電壓，并有2—3倍的裕量。

晶閘管的額定正向平均電流是指：在環(huán)境溫度為+40℃，標(biāo)準(zhǔn)散熱及元件導(dǎo)通條件下，陽極和陰極間可連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。

電力半導(dǎo)體器件一般工作在較為理想的開關(guān)狀態(tài)，其顯著特點(diǎn)是導(dǎo)通時(shí)壓降很低，關(guān)斷時(shí)泄漏電流很小，消耗能量很少或幾乎不消耗能量，具有高效率和節(jié)能的特點(diǎn)。