下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。