A、玻璃
B、耐火材料
C、水泥
D、陶瓷
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A、沉淀
B、溶解
C、粉合
D、A+B
A、α-C2S
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C、β-C2S
D、γ-C2S
A、融化
B、熔劑
C、溶質(zhì)
D、熔制
A、鎂質(zhì)原料
B、氧化鋰
C、硝酸鈉
D、氫氧化鈉
A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()