A、融化
B、熔劑
C、溶質(zhì)
D、熔制
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、鎂質(zhì)原料
B、氧化鋰
C、硝酸鈉
D、氫氧化鈉
A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO
A、長(zhǎng)石類(lèi)原料
B、氧化鋰類(lèi)原料
C、純堿
D、芒硝
A、降低陶瓷產(chǎn)品的燒成溫度
B、抑制莫來(lái)石晶體的形成和長(zhǎng)大
C、提高產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度
D、提高介電性能
A、能提供游離氧使玻璃結(jié)構(gòu)中的O/Si比值增加
B、降低玻璃黏度
C、是良好的助熔劑
D、降低玻璃的熱膨脹系數(shù)
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
在光線(xiàn)作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
硅片拋光在原理上不可分為（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。