A.量子效率定義為發(fā)射電子數(shù)比入射光子數(shù)
B.光電倍增管的渡越時(shí)間指一個(gè)光電子從第一打拿極到陽(yáng)極的平均時(shí)間
C.光陰極的均勻性對(duì)光電轉(zhuǎn)換過程會(huì)有較大影響
D.光電倍增管完全與光輻射隔絕時(shí),也會(huì)有電流輸出,稱為暗電流
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A.閃爍體發(fā)光光譜為連續(xù)譜
B.閃爍體的發(fā)光效率指將吸收的射線能量轉(zhuǎn)為光子能量的比例
C.光子產(chǎn)額指的是粒子損失單位能量產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)
D.理想閃爍體的發(fā)射光譜與吸收光譜基本重合
A.蒽晶體
B.鋰玻璃
C.NaI(Tl)
D.BGO
A.高發(fā)光效率
B.自吸收小
C.發(fā)光時(shí)間短
D.折射率越高越好
A.射線沉積能量的過程決定了探測(cè)器的探測(cè)效率
B.快電子或重離子電離產(chǎn)生熒光,影響能量分辨率
C.熒光轉(zhuǎn)換為光電子是在閃爍體內(nèi)部完成的
D.光電倍增器用于倍增電子,放大信號(hào)
A.測(cè)量由Q決定的電壓信號(hào)幅度,就可以知道N的大小,進(jìn)而知道射線的能量
B.電子離子對(duì)產(chǎn)生在同一個(gè)位置,保證了流經(jīng)外電路的電荷量與產(chǎn)生位置無(wú)關(guān)
C.一個(gè)電子-離子對(duì),在電場(chǎng)作用下完成漂移后,外電路流過的電荷量為2e
D.射線在探測(cè)器靈敏體積內(nèi)產(chǎn)生N對(duì)載流子,它們均在外加電場(chǎng)作用下漂移,這時(shí),外電路流過的電荷量為Ne
最新試題
下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是()。
常見的241Am-9Be中子源中,9Be的作用是()。
下列對(duì)于常用的中子探測(cè)器的描述不正確的是()。
改變下列哪項(xiàng)不會(huì)對(duì)活度探測(cè)產(chǎn)生明顯影響?()
軔致輻射對(duì)γ能譜的影響,描述錯(cuò)誤的是()。
幾何因素對(duì)探測(cè)器測(cè)量活度的影響描述正確的是()。
對(duì)偶然符合描述正確的是()。
關(guān)于中子的彈性、非彈性散射,下列說法錯(cuò)誤的是()。
對(duì)于β射線活度測(cè)量的諸多修正的描述錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。