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A.0.125/cm
B.0.3.46/cm
C.0.554/cm
D.0.692/cm
E.0.885/cm

A.6.25%
B.12.5%
C.25%
D.50%
E.80%

A.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成正比
B.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成反比
C.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成正比
D.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成反比
E.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度及物理狀態(tài)無關(guān)

A.光電吸收系數(shù)
B.康普頓吸收系數(shù)
C.電子對吸收系數(shù)
D.上述三種吸收系數(shù)之和
E.上述三種吸收系數(shù)之差

A.平方反比規(guī)律
B.指數(shù)規(guī)律
C.算術(shù)級數(shù)
D.幾何級數(shù)
E.高斯級數(shù)

A.20kV低能X線
B.30kV低能X線
C.⁶⁰鈷γ線或高能X線
D.高能電子線
E.以上任意一種射線均可

A.10～30KeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢，30KeV～25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢
B.10～30KeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢，30KeV～25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢
C.10～30KeV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢，30KeV～25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢
D.10～30KeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢，30KeV～25MeV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢
E.10～30KeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢，30KeV～25MeV電子對效應(yīng)占優(yōu)勢，25～100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢

A.對低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，康普頓效應(yīng)為主
B.對中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì)，光電效應(yīng)為主
C.對低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，電子對效應(yīng)為主
D.對低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，光電效應(yīng)為主
E.對高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，康普頓效應(yīng)為主

A.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個反沖電子和一個負(fù)電子的過程
B.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個正電子和一個負(fù)電子的過程
C.是光子在原子核庫侖場作用下轉(zhuǎn)化為一個反沖電子和一個負(fù)電子的過程
D.是光子在原子核庫侖場作用下轉(zhuǎn)化為一個正電子和一個負(fù)電子的過程
E.是光子在原子核庫侖場作用下轉(zhuǎn)化為兩個電子的過程

A.125KeV
B.200KeV
C.250KeV
D.350KeV
E.511KeV