單項(xiàng)選擇題中子數(shù)相對過多的核素易發(fā)生()。
A.α衰變
B.β-衰變
C.β+衰變
D.電子俘獲
E.γ衰變
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1.單項(xiàng)選擇題電子俘獲發(fā)生于()。
A.激發(fā)態(tài)原子核
B.貧中子原子核
C.富中子原子核
D.質(zhì)子數(shù)大于82的原子核
E.超重原子核
2.單項(xiàng)選擇題內(nèi)轉(zhuǎn)換電子產(chǎn)生于以下哪一過程()。
A.α衰變
B.光電效應(yīng)
C.康普頓效應(yīng)
D.γ衰變
E.湮滅輻射
3.單項(xiàng)選擇題以下決定原子核穩(wěn)定性的因素是()。
A.溫度
B.壓力
C.原子的核外電子數(shù)
D.質(zhì)子和中子數(shù)
E.最外層軌道的電子數(shù)
4.單項(xiàng)選擇題放射性核素原子核在單位時(shí)間內(nèi)的衰變數(shù)量為()。
A.衰變常數(shù)
B.衰變能量
C.衰變幾率
D.半衰期
E.放射性活度
5.單項(xiàng)選擇題在半對數(shù)坐標(biāo)上描繪核素的衰變將產(chǎn)生一條直線,其斜率決定于核素的()。
A.能量
B.數(shù)量
C.放射性活度
D.半衰期
E.衰變方式
最新試題
以下哪種情況電離作用最強(qiáng)()。
題型:單項(xiàng)選擇題
屏蔽β射線首選()。
題型:單項(xiàng)選擇題
中子數(shù)相對過多的核素易發(fā)生()。
題型:單項(xiàng)選擇題
發(fā)生電子俘獲后,原子的內(nèi)層軌道缺少了電子,外層軌道電子填充到內(nèi)層軌道上,由于外層電子比內(nèi)層電子的能量大,多余的能量傳遞給更外層的軌道電子,使之脫離軌道而釋出,此電子稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
屏蔽γ射線首選()。
題型:單項(xiàng)選擇題
γ光子與原子的核外電子碰撞,將一部分能量傳遞給電子,使之脫離原子軌道成為自由電子,γ光子本身能量降低,運(yùn)行方向發(fā)生改變,稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
關(guān)于半衰期的描述,錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
以下哪種情況下,韌致輻射作用最明顯()。
題型:單項(xiàng)選擇題
放射性核素原子核在單位時(shí)間內(nèi)的衰變數(shù)量為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
以下不符合放射性核素特征的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題