A.晶閘管
B.門極可關(guān)斷晶閘管
C.功率場效應(yīng)晶體管
D.絕緣柵極雙極型晶體管
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.IGBT ,GTO
B.電力MOSFET ,GTR
C.IGBT ,電力MOSFET
D.GTO ,GTR
A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端
A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù),不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流不利。
A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿
A.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦無電流,則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通,門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦加反向電壓,則晶閘管就立即關(guān)斷。
最新試題
全加器的輸入信號(hào)是()
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
集成運(yùn)放的反相輸入端,當(dāng)輸入信號(hào)(ui1)由此輸入時(shí),輸出信號(hào)(u0)與輸入ui1同相。
二極管外接正向電壓,P區(qū)應(yīng)接電源()
9個(gè)JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端,靜態(tài)時(shí)外接電阻相等。
反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。
將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài),那么也就是說明,這個(gè)電路具有自起功能。
下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()