A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端
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A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù)，不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時(shí)的均流不利。
A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿
A.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦無電流，則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦加反向電壓，則晶閘管就立即關(guān)斷。
A.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。
A.90o
B.150o
C.180o
D.360o
最新試題
全加器的輸出信號(hào)是（）
對理想運(yùn)放，當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)，其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
9個(gè)JK觸發(fā)器，通過電路設(shè)計(jì)，可以接成（）進(jìn)制以內(nèi)的，任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來一個(gè)脈沖它就加一，很顯然它是一個(gè)（）加法計(jì)數(shù)器。
3進(jìn)制的加法計(jì)數(shù)器，需要（）塊JK觸發(fā)器。
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng)，會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
集成運(yùn)放的反相輸入端，當(dāng)輸入信號(hào)（ui1）由此輸入時(shí)，輸出信號(hào)（u0）與輸入ui1同相。
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)（）分頻。
交流放大電路接入負(fù)載電阻后，對靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。