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IGBT器件是一種()和()的復(fù)合體,它結(jié)合了二者的優(yōu)點(diǎn)。
答案:
功率MOSFET;雙極型器件或GTR
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填空題
使MOSFET開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般為()V,使IGBT開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般為()V。關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓以利于減?。ǎ┖完P(guān)斷損耗。
答案:
10~15;15~20;關(guān)斷時(shí)間
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填空題
電流驅(qū)動(dòng)型全控器件必須有足夠的驅(qū)動(dòng)電流才能使器件導(dǎo)通,需要有較大的(),這類器件有()等
答案:
驅(qū)動(dòng)功率;門極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管
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