填空題使MOSFET開通的驅(qū)動電壓一般為()V,使IGBT開通的驅(qū)動電壓一般為()V。關(guān)斷時施加一定幅值的負驅(qū)動電壓以利于減?。ǎ┖完P(guān)斷損耗。
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本征半導體是(),導電能力弱。
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