問(wèn)答題以p阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些不足？
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟。
3.問(wèn)答題在制作晶體管的時(shí)候，襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響是？
5.問(wèn)答題什么是特征尺寸？它對(duì)集成電路工藝有何影響？
最新試題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型：判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型：判斷題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題