問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】以p阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些不足?

答案:

NPN晶體管電流增益小,集電極串聯(lián)電阻大,NPN管的C極只能接固定電位。

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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。

答案:

P阱光刻,光刻有源區(qū),光刻多晶硅,P+區(qū)光刻,N+區(qū)光刻,光刻接觸孔,光刻鋁線。

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟。

答案: 第一次光刻:N+隱埋層擴(kuò)散孔光刻
第二次光刻:p+隔離擴(kuò)散空光刻
第三次光刻:P型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻
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