問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。

答案：

P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。
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問(wèn)答題

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第二次光刻：p+隔離擴(kuò)散空光刻
第三次光刻：P型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻
問(wèn)答題

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答案：

電阻率過(guò)大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴(kuò)大飽和壓降，若過(guò)小耐壓低，結(jié)電容增大，且外延時(shí)下推大。
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