單項(xiàng)選擇題剛在熱加工后形成纖維組織，使剛的性能發(fā)生變化，即沿纖維的方向具有較高的（），沿垂直于纖維的方向具有較高的抗剪強(qiáng)度。
A、抗拉強(qiáng)度
B、抗彎強(qiáng)度
C、抗剪強(qiáng)度
D、以上答案都對(duì)
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1.單項(xiàng)選擇題冷熱加工的區(qū)別在于加工后是否存在（）。
A.加工硬化
B.晶格改變
C.纖維組織
D.以上答案都對(duì)
2.單項(xiàng)選擇題再結(jié)晶和重結(jié)晶都有晶核的形成和晶核的長大兩個(gè)過程，它們的主要區(qū)別在于是否有（）的改變。
A、溫度
B、晶體結(jié)構(gòu)
C、應(yīng)力狀態(tài)
D、以上答案都對(duì)
3.單項(xiàng)選擇題做疲勞試驗(yàn)時(shí)，試樣承受的載荷為（）。
A、靜載荷
B、沖擊載荷
C、交變載荷
D、以上答案都對(duì)
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題