雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）