把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

下列是晶體的是（）。 

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）