A.激勵(lì)磁場(chǎng)
B.渦流磁場(chǎng)
C.磁疇磁場(chǎng)
D.以上三者都是
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A.發(fā)現(xiàn)試件中渦流變化
B.在試件中激勵(lì)出渦流
C.發(fā)現(xiàn)試件中的分子磁矩
D.激勵(lì)出試件磁疇
A.激勵(lì)渦流和放大信號(hào)
B.檢測(cè)并放大信號(hào)
C.激勵(lì)渦流和檢測(cè)信號(hào)
D.檢測(cè)并處理信號(hào)
A.匝數(shù)
B.激勵(lì)頻率
C.線圈電感
D.以上三項(xiàng)全是
A.ωL
B.2πωL
C.2πfL
D.A和C
A.線圈的電壓
B.線圈的電流
C.線圈的導(dǎo)納
D.空心線圈的電抗
最新試題
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯(cuò)誤的是()。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()
X射線檢測(cè)圖像直觀、缺陷定性準(zhǔn)確,因此焊接缺陷無(wú)論大小和延伸方向都可以選擇X射線檢測(cè)。
一次完整的補(bǔ)焊過(guò)程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。
探傷人員在透視間內(nèi)發(fā)現(xiàn)輻射正在進(jìn)行應(yīng)立即()。
射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是(),必須嚴(yán)加控制。
焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是()。
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見(jiàn)的要求,經(jīng)表面檢驗(yàn)合格,申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。