單項(xiàng)選擇題下面關(guān)于渦流檢測(cè)中相位調(diào)整的敘述,指出正確的句子().

A.相位調(diào)整是為了抑制雜亂信號(hào),只讓缺陷信號(hào)檢測(cè)出來(lái)
B.相位調(diào)整是指選用三相交流電中的哪一相
C.相位調(diào)整是調(diào)整移相器的相位角
D.為了輸出特定相位的缺陷信號(hào),用檢波器進(jìn)行同步檢波
E.除b以外都對(duì)


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1.單項(xiàng)選擇題下面關(guān)于渦流檢測(cè)操作的敘述中,指出正確的句子().

A.為了防止探傷儀器的失靈,盡可能不要預(yù)先進(jìn)行穩(wěn)定
B.選定探傷規(guī)范是用對(duì)比試塊來(lái)進(jìn)行的
C.探傷靈敏度是選定在探傷儀器的最大靈敏度上的
D.當(dāng)檢測(cè)缺陷信號(hào)時(shí),由平衡調(diào)整來(lái)判斷缺陷的大小

2.單項(xiàng)選擇題下面關(guān)于電磁感應(yīng)檢測(cè)特征的敘述中,指出正確的句子().

A.缺陷、材質(zhì)變化、尺寸變化等的顯示度可以區(qū)別得出
B.一般說(shuō)來(lái),缺陷同材質(zhì)不連續(xù)部分的顯示很難區(qū)別
C.檢測(cè)表面缺陷的能力很強(qiáng)
D.因內(nèi)部缺陷的信息都能感應(yīng)到表面上來(lái),所以內(nèi)部缺陷與表面缺陷的檢測(cè)能力相仿
E.b和c是正確的

3.單項(xiàng)選擇題下面關(guān)于渦流檢測(cè)直流磁飽和的敘述中,指出正確的句子().

A.用來(lái)抑制因強(qiáng)磁性材料加工引起的磁導(dǎo)率不均勻而造成的雜亂信號(hào)
B.用來(lái)降低強(qiáng)磁性材料的磁導(dǎo)率,從而減小渦流的集膚效應(yīng)
C.用來(lái)抑制試件表面凹凸不平所引起的雜亂信號(hào)
D.用來(lái)提高強(qiáng)磁性材料的磁通密度,從而提高探傷靈敏度
E.A和B是正確的

4.單項(xiàng)選擇題渦流檢測(cè)所用的實(shí)際頻率應(yīng)根據(jù)什么進(jìn)行選擇().

A.材料厚度
B.需要的透入深度
C.需要的靈敏度和分辨力
D.檢驗(yàn)?zāi)康?br /> E.以上都是

5.單項(xiàng)選擇題為了區(qū)分開各種因素對(duì)渦流的影響,在渦流探傷中應(yīng)特別重視().

A.信號(hào)放大
B.信號(hào)處理
C.信號(hào)顯示
D.信號(hào)報(bào)警

最新試題

X射線探傷室應(yīng)建立健全輻射安全管理制度及應(yīng)急預(yù)案。

題型:判斷題

增加工藝性透視有利于保證焊接質(zhì)量,因此盡可能增加工藝性透視次數(shù)。

題型:判斷題

超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。

題型:判斷題

一次完整的兩面多層補(bǔ)焊,當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過(guò)一次X射線檢測(cè),若反面還需打底,則無(wú)需X射線檢測(cè)。

題型:判斷題

X射線檢測(cè)圖像直觀、缺陷定性準(zhǔn)確,因此焊接缺陷無(wú)論大小和延伸方向都可以選擇X射線檢測(cè)。

題型:判斷題

對(duì)于厚度變化較大的變截面工件透照,只要底片黑度符合GJB1187A的要求時(shí),就可采用多膠片技術(shù)。

題型:判斷題

X光檢驗(yàn)組按復(fù)查清單組織復(fù)查,并出具X光底片復(fù)查報(bào)告,復(fù)查無(wú)遺留問(wèn)題方可進(jìn)行試壓。

題型:判斷題

在射線照相檢驗(yàn)中,隨著射線能量的提高,得到的圖像不清晰度也將增大。

題型:判斷題

觀察底片時(shí),為能識(shí)別缺陷圖像,缺陷圖像對(duì)比度與圖像噪聲之比應(yīng)不小于識(shí)別閾值。

題型:判斷題

缺陷分類應(yīng)符合驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的要求,標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線照相檢驗(yàn)范疇的缺陷,必要時(shí)可予以注明供有關(guān)人員參考,但不作為合格與否判定的依據(jù)。

題型:判斷題