載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

硅片拋光在原理上不可分為（）

可用作硅片的研磨材料是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。