多項(xiàng)選擇題預(yù)應(yīng)力結(jié)構(gòu)對(duì)混凝土的基本要求有()。

A、高強(qiáng)度
B、低收縮
C、慢硬、晚強(qiáng)
D、除變小


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1.多項(xiàng)選擇題原位雙剪法檢測(cè)時(shí),對(duì)于測(cè)試步驟以下說(shuō)法正確的是()。

A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開(kāi)鑿清理過(guò)程中,嚴(yán)禁擾動(dòng)試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動(dòng)現(xiàn)象時(shí),應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時(shí)應(yīng)用扁砂輪等工具磨平

2.多項(xiàng)選擇題原位雙剪法檢測(cè)時(shí),下列哪些部位不應(yīng)布設(shè)測(cè)點(diǎn)()。

A.門(mén)、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.獨(dú)立磚柱
D.完整墻體中部

3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于砌筑用臨時(shí)性施工洞口的留設(shè),說(shuō)法正確的有()。

A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過(guò)lm
C.洞口頂宜設(shè)置過(guò)梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū),必須與設(shè)計(jì)協(xié)商

4.多項(xiàng)選擇題原位雙剪法檢測(cè)時(shí),在測(cè)區(qū)內(nèi)選擇測(cè)點(diǎn),以下哪些符合要求()。

A.測(cè)區(qū)應(yīng)隨機(jī)布置n個(gè)測(cè)點(diǎn),對(duì)原位單磚雙剪法,在墻體兩面的測(cè)點(diǎn)數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于1.5m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m,且不應(yīng)在同一水平位置或縱向位置
C.門(mén)、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為8mm~12mm

5.多項(xiàng)選擇題原位單剪法檢測(cè)時(shí),加荷時(shí)以下說(shuō)法正確的是()。

A.加荷時(shí)應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當(dāng)試件沿受剪面滑動(dòng)、千斤頂開(kāi)始卸荷時(shí),應(yīng)判定試件達(dá)到破壞狀態(tài)
C.應(yīng)記錄破壞荷載值,并應(yīng)結(jié)束測(cè)試
D.應(yīng)在預(yù)定剪切面(灰縫)破壞,測(cè)試有效

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光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

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下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()

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對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

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下列是晶體的是()。 

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對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。

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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()

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改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()

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