材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？