圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。