材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？