對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。