A、速凝
B、離析
C、泌水
D、蠕動
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A、砼拌合物應(yīng)在滿足施工要求的前提下，盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強砼的坍落擴展度不宜小于500mm
C、自密實砼的坍落擴展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時損失不宜大于30mm/h
A、砼拌合用水必須達到飲用水質(zhì)量標準
B、砼拌合用水不得使用低于5℃的深井水
C、未經(jīng)處理的海水嚴禁用于鋼筋砼和預(yù)應(yīng)力砼
D、當(dāng)骨料具有堿活性時，砼拌合用水不得采用砼企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備洗漱水
A、pH值
B、水泥凝結(jié)時間差
C、氯離子含量
D、可溶物含量
A、外加劑應(yīng)與水泥具有良好的適應(yīng)性，其種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗確定
B、外加劑中的氯離子和堿含量應(yīng)滿足砼設(shè)計要求
C、大體積砼宜采用緩凝劑或緩凝減水劑
D、宜采用液態(tài)外加劑
A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗確定
C、不得同時摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時使用
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。