由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構的高電流驅(qū)動能力。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

版圖設計的基本前提是什么？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。