單項選擇題在半導體器件制造中，對清洗用水的純度有比較高的要求，要用經(jīng)過純化的（）作為清潔用水。
A.蒸餾水
B.自來水
C.去離子水
D.礦泉水
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1.單項選擇題銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為（）。
A.5~10nm
B.20~30nm
C.50~80nm
D.100~200nm
2.單項選擇題在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為（）。
A.硝酸
B.硝酸銅
C.硫酸
D.磺酸
3.單項選擇題在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金屬表面上形成軟質(zhì)皮膜并加以去除的趨勢。
A.二氧化錳
B.鋁
C.氧化鉻
D.金剛石
4.單項選擇題金相學的研磨之所以會在研磨面上造成如刮傷般的痕跡是由于在制程中（）。
A.氧化鉻磨料溶水制成的研磨液
B.使用羊毛研磨墊
C.采用旋轉(zhuǎn)研磨墊加壓的方法
D.無法必免的機械損耗
5.多項選擇題在對層間絕緣膜進行CMP時，層間絕緣膜的表面會隨下列那些因素產(chǎn)生變化（）。
A.電路圖形結(jié)構(gòu)的凹凸
B.尺寸大小
C.位置分布
D.高度
E.密集程度
最新試題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項選擇題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）
題型：單項選擇題
回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項選擇題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。
題型：單項選擇題
當需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題