單項選擇題電子束蒸發(fā)的設(shè)備中產(chǎn)生電子束的裝置稱為（）。
A.電子源
B.電子泵
C.電子管
D.電子槍
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1.單項選擇題用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。
A.重要步驟
B.次要步驟
C.首要步驟
D.不一定
2.多項選擇題為了滿足半導(dǎo)體器件對金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應(yīng)該滿足（）。
A.低電阻率
B.易與p或n型硅形成歐姆接觸
C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)
D.易于光刻
E.便于進行鍵合
3.單項選擇題（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。
A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD
4.單項選擇題（）是以物理的方法來進行薄膜沉積的一種技術(shù)。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
5.單項選擇題物理氣相沉積簡稱（）。
A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD
最新試題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項選擇題
離子注入機掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項選擇題
堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。
題型：單項選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）
題型：單項選擇題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
題型：多項選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：單項選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：單項選擇題