單項(xiàng)選擇題分析器是一種（）分選器。
A.電子
B.中子
C.離子
D.質(zhì)子
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1.單項(xiàng)選擇題離子束的引出系統(tǒng)的間接引出系統(tǒng)中，陽極和插入電極之間形成一個(gè)離子密度較（）的等離子體。
A.低
B.高
C.均勻
D.不均勻
2.單項(xiàng)選擇題引出系統(tǒng)要求能引出分散性較好的強(qiáng)束流，還希望具有較（）的氣阻。
A.無序
B.穩(wěn)定
C.小
D.大
3.單項(xiàng)選擇題離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成（）離子，并通過一個(gè)引出系統(tǒng)形成離子束。
A.正
B.負(fù)
C.中性
D.以上答案都可以
4.單項(xiàng)選擇題在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有（）。
A.電子振蕩放電
B.離子自動(dòng)放電
C.低電壓弧光放電
D.雙等離子電弧放電
5.多項(xiàng)選擇題離子注入的主要?dú)怏w源中，劇毒的有（）。
A.砷化氫
B.二硼化氫
C.四氟化硅
D.三氟化磷
E.五氟化磷
最新試題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
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題型：多項(xiàng)選擇題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）
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利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題