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【論述題】分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。
答案:
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【論述題】在銅互連中,為什么要用銅擴(kuò)散阻擋層?阻擋層分成哪幾種,分別起什么作用?
答案:
1)銅在SiO
2
中極易擴(kuò)散,造成對(duì)硅器件的沾污:增加SiO
2
的漏電流;增加結(jié)...
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【論述題】從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中(Back-End-Of-Line,BEOL)采用銅(Cu)互連和低介電常數(shù)(low-k)材料的必要性。
答案:
寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過(guò)程中會(huì)撞擊導(dǎo)體中的離子,將動(dòng)量轉(zhuǎn)移給離子從而推動(dòng)離子發(fā)生緩慢移動(dòng)。該現(xiàn)象稱為電...
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【論述題】畫出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning(SADP)的工藝流程圖。
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【論述題】簡(jiǎn)述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。
答案:
在光柵掃描方法中,每一個(gè)像素必須被逐次掃描。這樣,曝光時(shí)間幾乎與圖形無(wú)關(guān),圖形就是通過(guò)打開(kāi)和關(guān)閉快門寫出來(lái)的。而已經(jīng)開(kāi)發(fā)...
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【論述題】浸沒(méi)式光刻機(jī)相對(duì)于傳統(tǒng)的光刻機(jī)有何不同。
答案:
根據(jù)瑞利判據(jù):要提高分辨率,可以通過(guò)增大數(shù)值孔徑NA來(lái)實(shí)現(xiàn)。傳統(tǒng)曝光設(shè)備在鏡頭與硅片之間的介質(zhì)是空氣,空氣的折射率是1;...
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【論述題】什么是光刻中常見(jiàn)的表面反射和駐波效應(yīng)?如何解決?
答案:
表面反射——穿過(guò)光刻膠的光會(huì)從晶圓片表面反射出來(lái),從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...
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【論述題】典型的光刻工藝主要有哪幾步?簡(jiǎn)述各步驟的作用。
答案:
涂膠→前烘→對(duì)準(zhǔn)與曝光→曝光后烘烤→顯影→堅(jiān)膜→顯影檢查
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【論述題】個(gè)投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源,數(shù)值孔徑為0.6,設(shè)k1=0.6,n=0.5,計(jì)算其理論分辨率和焦深。
答案:
分辨率:
焦深:
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【論述題】在光刻中,能夠在增加分辨率的同時(shí)增加聚焦深度嗎?為什么?
答案:
不能!聚焦深度:在保持圖形聚焦的前提下,沿著光路方向晶圓片移動(dòng)的距離是聚焦深度——
,...
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【論述題】根據(jù)曝光方式的不同,光學(xué)光刻機(jī)可以分成幾類?各有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
答案:
根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機(jī)主要分為三種:接觸式,接近式,投影式。接觸式:接觸式光刻機(jī)是最簡(jiǎn)單的光刻機(jī),曝光時(shí),掩模壓在涂...
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