下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。