A．缺陷離試件表面越近，形成的漏磁通越小
B．在磁化狀態(tài)、缺陷類型和大小為一定時(shí)，其漏磁通密度受缺陷方向影響
C．交流磁化時(shí)，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時(shí)的漏磁通要小
D．在磁場強(qiáng)度、缺陷類型和大小為一定時(shí)，其漏磁通密度受磁化方向影響；
E．除A以外都對(duì)

A、與磁化電流的大小無關(guān)
B、與磁化電流的大小有關(guān)
C、當(dāng)缺陷方向與磁化場方向之間的夾角為零時(shí)，漏磁場最大
D、與工件的材料性質(zhì)無關(guān)

A．缺陷方向與磁力線平行時(shí)，漏磁場最大
B．漏磁場的大小與工件的磁化程度無關(guān)
C．漏磁場的大小與缺陷的深度和寬度的比值有關(guān)
D．工件表層下，缺陷所產(chǎn)生的漏磁場，隨缺陷的埋藏深度增加而增大

A、它與試件上的磁通密度有關(guān)
B、它與缺陷的高度有關(guān)
C、磁化方向與缺陷垂直時(shí)漏磁通最大
D、以上都對(duì)

A、磁化強(qiáng)度為一定時(shí)，缺陷高度小于1mm的形狀相似的表面缺陷，其漏磁通與缺陷高度無關(guān)
B、缺陷離試件表面越近，缺陷漏磁通越小
C、在磁化狀態(tài)、缺陷種類和大小為一定時(shí)，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影響
D、交流磁化時(shí)，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時(shí)要小
E、當(dāng)磁化強(qiáng)度、缺陷種類和大小為一定時(shí)，缺陷處的漏磁通密度受磁化方向的影響
F、c，d和e都對(duì)