問答題

【簡答題】簡述LOCOS隔離原理。

答案： 通過NMOS場區(qū)的硼注入及場區(qū)選擇氧化，增加場區(qū)的表面摻雜濃度及場區(qū)氧化層厚度，從而提高寄生NMOS管的閾值電壓，使該閾...
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問答題

【簡答題】簡述倒摻雜阱技術(shù)的步驟。
答案： 連續(xù)三次離子注入
①第一次高能量（＞200KEV）、深結(jié)（~1.0μm）倒摻雜注入，以減小CMOS器件的...
問答題

【簡答題】簡述先進(jìn)的0.18μmCMOS集成電路工藝技術(shù)工藝步驟。
答案： ①雙阱工藝；
②淺槽隔離工藝；
③多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝；
④輕摻雜漏（LDD）工藝；
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