問答題

【簡答題】簡述先進的0.18μmCMOS集成電路工藝技術工藝步驟。

答案： ①雙阱工藝；
②淺槽隔離工藝；
③多晶硅柵結構工藝；
④輕摻雜漏（LDD）工藝；
題目列表

你可能感興趣的試題

問答題

【簡答題】簡述3.0μm CMOS集成電路工藝技術工藝流程。
答案： ①雙阱工藝：備片→初氧氧化→光刻N阱區(qū)→N阱磷注入→刻蝕初氧層→光刻P...
問答題

【簡答題】簡述CMP技術的優(yōu)點。
答案： ①全局平坦化，臺階高度可控制到50Å左右；
②平坦化不同的材料；
③平坦化多層材料；
微信掃碼免費搜題