從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？