A、根據(jù)頻率和壓電晶片的厚度進(jìn)行計(jì)算
B、用人工缺陷的反射信號(hào)幅度確定
C、與同種探頭進(jìn)行比較
D、確定探頭的振蕩時(shí)間
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A、用帶有經(jīng)校準(zhǔn)的衰減器和C掃描記錄儀的探傷儀對(duì)精加工鍛件進(jìn)行液浸自動(dòng)探傷
B、鍛造前對(duì)鍛坯進(jìn)行檢驗(yàn)，精加工后對(duì)形狀許可的部位再進(jìn)行檢驗(yàn)
C、對(duì)成品件進(jìn)行手工接觸法檢驗(yàn)
D、鍛造前對(duì)鍛坯進(jìn)行自動(dòng)液浸檢驗(yàn)
A、與主軸線平行
B、與副軸線平行
C、與鍛件流線一致
D、與鍛件流線約成45°角
A、用直徑較小的探頭進(jìn)行檢驗(yàn)
B、在細(xì)化晶粒熱處理后進(jìn)行檢驗(yàn)
C、將接觸法檢驗(yàn)改為液浸法檢驗(yàn)
D、將縱波檢驗(yàn)改為橫波檢驗(yàn)
A、頻率較低的探頭和粘度較高的耦合劑
B、頻率較高的探頭和粘度較低的耦合劑
C、頻率較高的探頭和粘度較高的耦合劑
D、頻率較低的探頭和粘度較低的耦合劑
A、縱波
B、橫波
C、縱波與橫波
D、表面波
最新試題
超差缺陷是否排除，由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是（），必須嚴(yán)加控制。
一次完整的兩面多層補(bǔ)焊，當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過一次X射線檢測(cè)，若反面還需打底，則無需X射線檢測(cè)。
缺陷分類應(yīng)符合驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的要求，標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線照相檢驗(yàn)范疇的缺陷，必要時(shí)可予以注明供有關(guān)人員參考，但不作為合格與否判定的依據(jù)。
探傷人員在透視間內(nèi)發(fā)現(xiàn)輻射正在進(jìn)行應(yīng)立即（）。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家（）
廢舊藥液應(yīng)采用專用容器收集，定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
點(diǎn)焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測(cè)方法是X射線檢測(cè)。
對(duì)焊接接頭穩(wěn)定時(shí)間有規(guī)定的產(chǎn)品，工藝規(guī)程應(yīng)作出規(guī)定，檢驗(yàn)監(jiān)控確認(rèn)，檢驗(yàn)蓋章時(shí)穩(wěn)定時(shí)間不足者應(yīng)在申請(qǐng)單注明穩(wěn)定時(shí)間節(jié)點(diǎn)，否則X光室視為穩(wěn)定時(shí)間符合要求。