A、觸發(fā)電路
B、掃描電路
C、同步電路
D、發(fā)射電路
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A、發(fā)射電路
B、掃描電路
C、同步電路
D、標(biāo)距電路
A、增大
B、減小
C、不變
D、以上都不對(duì)
A、1
B、1/10
C、1/2
D、1/100
A、12
B、3
C、6
D、9
A、12
B、3
C、6
D、9
最新試題
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯(cuò)誤的是()。
射線(xiàn)檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是(),必須嚴(yán)加控制。
對(duì)于圓柱導(dǎo)體的外通過(guò)式線(xiàn)圈,其阻抗變大的情況有()
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見(jiàn)的要求,經(jīng)表面檢驗(yàn)合格,申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。
對(duì)含有內(nèi)穿過(guò)式線(xiàn)圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
廢舊藥液應(yīng)采用專(zhuān)用容器收集,定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
一次完整的補(bǔ)焊過(guò)程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。
下面給出的射線(xiàn)檢測(cè)基本原理中,正確的是()。
觀(guān)察底片時(shí),為能識(shí)別缺陷圖像,缺陷圖像對(duì)比度與圖像噪聲之比應(yīng)不小于識(shí)別閾值。