多項(xiàng)選擇題CMOS電路具有()的優(yōu)點(diǎn)。 

A.輸出的高電平是電源電壓、低電平是0
B.門(mén)坎電平約為電源電壓的1/2
C.門(mén)坎電平約為電源電壓
D.電源電壓使用時(shí)較為靈活
E.門(mén)坎電平約為1.4V


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1.多項(xiàng)選擇題COMS非門(mén)在靜態(tài)時(shí),電路的一對(duì)管子VN和VP總是()。     

A.兩個(gè)均截止
B.兩個(gè)均導(dǎo)通
C.一個(gè)截止
D.一個(gè)導(dǎo)通
E.兩個(gè)均導(dǎo)通或兩個(gè)均截止

2.多項(xiàng)選擇題按照導(dǎo)電溝道的不同,MOS管可分為()。

A.NMOS
B.PMOS
C.CMOS
D.DMOS
E.SMOS

3.多項(xiàng)選擇題對(duì)于TTL與非門(mén)閑置輸入端的處理,可以()。

A.接電源
B.通過(guò)電阻3kΩ接電源
C.接地
D.與有用輸入端并聯(lián)
E.接0V

4.多項(xiàng)選擇題OC門(mén)輸出端的公共集電極電阻的大小必須選擇恰當(dāng),因?yàn)椋ǎ?#8194;

A.RC過(guò)大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的高電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降
B.RC過(guò)大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降
C.RC過(guò)小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較大的灌電流
D.RC過(guò)小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較小的灌電流
E.RC很大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降

5.多項(xiàng)選擇題三態(tài)門(mén)的輸出狀態(tài)共有()。     

A.高電平
B.低電平
C.零電平
D.高阻
E.低阻

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