為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

版圖設計的基本前提是什么？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。